中科院物理所等构筑出20纳秒写入/擦除时间超快非易失存储器

 中国科学院院士、中科院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心研究员高鸿钧研究团队博士研究生吴良妹和副研究员鲍丽宏等,利用二维范德瓦尔斯异质结的原子级锐利界面及增强的界面耦合特性,无须修改商用的器件结构,首次构筑了超快、非易失浮栅存储器件,实现了其纳秒级(~20 ns)的读写时间(商用闪存器件为百微秒)、极高的擦除/写入比(~1010)和极长的存储时间(10年以上)。 [原文链接]

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